Definizzjoni ta' Transistor Bipolari Insulated Gate

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) huwa apparat semikonduttur tal-enerġija mmexxi minn vultaġġ-komposti kompletament ikkontrollat ​​li jgħaqqad il-vantaġġi ta 'MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) u BJT (Bipolar Junction Transistor).

 

Punti ta' Definizzjoni Ewlenin
Kompożizzjoni tal-Istruttura: Magħmula mill-karatteristiċi ta 'impedenza għolja ta' input u vultaġġ-mmexxija minn MOSFET flimkien mal-waqgħa baxxa tal-vultaġġ tal-konduzzjoni u kapaċità ta 'ġarr ta' kurrent għoli ta 'BJT.

Prinċipju tax-Xogħol: Billi tapplika vultaġġ għall-bieb biex tikkontrolla l-formazzjoni tal-kanal, tipprovdi kurrent bażi lit-transistor PNP, u tikseb it-tixgħel-jew itfi-.

Struttura tat-Terminal: Għandha tliet terminals-Gate (G), Kollettur (C), u Emittent (E).

 

Vantaġġi ewlenin:
Impedenza għolja tad-dħul (bħal MOSFET, qawwa tas-sewqan baxxa)
Waqgħa baxxa fil-vultaġġ tal-konduzzjoni (bħal BJT, telf baxx tal-konduzzjoni)
Adattat għal applikazzjonijiet ta' vultaġġ għoli, kurrent għoli u medja-għola